г. Екатеринбург,
ул. Хохрякова, 31
Михаил +7 (952) 740-00-06 Павел
+7 (900) 197-13-54
Бесплатный номер по РФ 8 (804) 333-50-35
Скупка радиодеталей
Ваш город: Екатеринбург
0 шт | 0 руб. Написать нам
Товар добавлен в корзину
  • О нас
  • Каталог
  • Почтовые отправления
  • Калькулятор
  • Продажа аффинированных металлов
  • Контакты
  • Поиск по сайту

    ГлавнаяКаталогМикросхемыКТ803, 808, 809 (разобранные)

    КТ803, 808, 809 (разобранные) пятаки от транзисторов

    Цена на новые: 66.41 руб.
    Цена на б/у: 66.41 руб.
    шт. Добавить Задать вопрос
    пятаки от транзисторов
    Описание
    Характеристики

    В данном разделе речь идет о «пятаках», извлеченных из мощных транзисторов серий КТ803, 808, 809. Металлические корпуса таких радиодеталей не представляют ценности, но при изготовлении их полупроводникового рабочего элемента использовались драгметаллы – золото и серебро.

    Прием «пятаков» осуществляется поштучно, разницы в стоимости между деталями от новых и б/у транзисторов нет. Вы можете сдать и целые транзисторы, но стоимость их в этом случае будет ниже.

    Эксперты ООО «Радуга» профессионально оценят сдаваемые вами детали, вы получите максимально возможное вознаграждение. Доступны телефонные консультации.

    • Транзисторы КТ803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
    • Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
    • Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
    • Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
    • Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
    • Тип корпуса: КТЮ-3-20.
    • Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем - не более 34,0 г.
    • Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1».
    • Категория качества: «ОТК».
    • Технические условия:
    • - приемка «1» - ЖК3.365.206ТУ.

    Основные технические характеристики транзистора КТ803А:

    • Структура транзистора: n-p-n;
    • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
    • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
    • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
    • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
    • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
    • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В);
    • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 70;
    • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
    • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

    Технические характеристики транзисторов 2Т803А, КТ803А:

    Тип
    транзистора
    Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С

    max
    IК. И.
    max
    UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max
    А А В В В Вт
    2Т803А n-p-n 10 - 60 - 4 60
    КТ803А n-p-n 10 - 60 - 4 60
    Тип
    транзистора
    Значения параметров при Тп=25°С
    max
    Т
    max
    h21Э UКЭ
    нас.
    IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
      В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С
    2Т803А 10…50 2,5 300 20 >20 - 250 - 150 -60…+125
    КТ803А 10…70 2,5 300 50 >20 - 250 - 150 -40…+100

    Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

    • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
    • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
    • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
    • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
    • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
    • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
    • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
    • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
    • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
    • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
    • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
    • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
    • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
    • КШ - коэффициент шума транзистора.
    • СК - емкость коллекторного перехода.
    • СЭ - емкость коллекторного перехода.
    • ТП max - максимально допустимая температура перехода.
    • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
    График работы с клиентами
    Пн.- Пт.: с 10:00 до 17:00, перерыв с 13:00 до 14:00;
    Сб.: с 10:00 до 15:00;
    Вс.: выходной.
    +7 (952) 740-00-06 (Михаил, эксперт)
    Курсы валют ЦБ РФ
    Дата: 00:00 00:00
    USD 0.00 0.00
    EUR 0.00 0.00
    Товарные рынки
    Au Ag Pt Pd
    BID 0.00 0.00 0.00 0.00
    ASK 0.00 0.00 0.00 0.00
    Вся информация на сайте носит справочный характер и не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 Гражданского кодекса Российской Федерации. За более подробной информацией о стоимости обращайтесь к менеджерам компании.
    Товар добавлен в корзину